高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機(jī)作為儀器的控制，測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標(biāo)準(zhǔn)頻率測試點(diǎn)自動設(shè)定，諧振點(diǎn)自動搜索，Q值量程自動轉(zhuǎn)換，數(shù)值顯示等新技術(shù)，改進(jìn)了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測試回路的殘余電感減至醉低，并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時更為方便，測量值更為精確。
高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對無機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。
長度可調(diào)范圍和分辨率：≥0～20mm，±0.01mm
本測試裝置是由精密機(jī)械構(gòu)件組成的測微設(shè)備，所以在使用和保存時要避免振動和碰撞，要求在不含腐蝕氣體和干燥的環(huán)境中使用和保存，不能自行拆裝，否則其工作性能就不能保證，如測試夾具受到碰撞，或者作為定期檢查，要檢測以下幾個指標(biāo)：
Q值合格指示預(yù)置功能范圍：5～1000
園筒電容器的軸和軸同心度誤差不超過0.1mm。
型號頻率指示誤差：3*10-5 ±1
維修保養(yǎng)
Q值測量范圍：2～1023
儀器能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。
高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀工作原理
外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。
夾具插頭間距：25mm±1mm
消耗功率：約25W；
環(huán)境溫度：0℃～+40℃
平板電容器
主電容調(diào)節(jié)范圍： 30～500pF
概述介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項重要的物理性質(zhì)，通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；
性能特點(diǎn)：
平板電容器二極片平行度不超過0.02mm。
電感一套；
凈重：約7kg；
Q表正常工作條件
本測試裝置是由二只測微電容器組成，平板電容器一般用來夾持被測樣品，園筒電容器是一只分辨率高達(dá)0.0033pF的線性可變電容器，配用儀器作為指示儀器，決緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品的Q值變化，由園筒電容器的刻度讀值變化值而換算得到的。同時，由平板電容器的刻度讀值變化而換算得到介電常數(shù)。
信號源頻率覆蓋范圍10KHz-60MHz或200KHz-160MHz
電容直接測量范圍：1～460pF
測試主機(jī)一臺；
電容準(zhǔn)確度 150pF以下±1.5pF；150pF以上±1%
相對濕度：<80％；
滿足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測量電氣決緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
極片間距可調(diào)范圍和分辨率：≥10mm，±0.01mm
極片尺寸：φ25.4mm\φ50mm
中國檢測行業(yè)與驗(yàn)證服務(wù)的間端者和智領(lǐng)者，幫助眾多檢測質(zhì)檢單位和學(xué)校教研單位提供一站式的全面質(zhì)量解決方案。
電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。
園筒電容器
儀器的技術(shù)指標(biāo)
Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔；
電感測量范圍：14.5nH～8.14H 自身殘余電感和測試引線電感的自動扣除功能
電容量線性：0.33pF / mm±0.05 pF
用精密電容測量儀（±0.01pF分辨率）測量園筒電容器，電容呈線性率，從0~20mm，每隔1mm測試一點(diǎn)，要求符合工作特性要求。
保證二個測微桿0.01mm分辨率。
夾具一 套
產(chǎn)品配置：
其他夾角損耗角正切值：≤4×10－4（1MHz時）

以下是絕緣電阻耐電壓試驗(yàn)儀的正確使用步驟和注意事項，綜合多款設(shè)備操作指南整理：
一、接線準(zhǔn)備
端口識別
L端（紅色線）：連接高壓輸出端，夾至被試品高壓側(cè)或正極
E端（黑色線）：接地端，夾至被試品外殼或負(fù)極
G端（綠色線）：屏蔽端，僅在泄漏電流大或被試品帶屏蔽層時使用
被試品處理
變壓器/電機(jī)等設(shè)備需短接繞組（如高壓側(cè)ABC三相短接）
測試前確保設(shè)備完全放電，表面清潔無污垢
數(shù)字絕緣電阻測試儀操作指南,輕松掌握接線與設(shè)置技巧
絕緣電阻測試儀試驗(yàn)實(shí)操!絕緣電阻測試儀怎么使用? 絕緣電阻測試儀使用方法,全程精細(xì)展示!
絕緣電阻測試儀使用介紹 絕緣電阻測試儀如此簡單就會用了!
使用絕緣電阻表的安全與操作技巧
二、參數(shù)設(shè)置
電壓選擇
根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)選擇檔位（如250V/500V/1kV/5kV），家用電器常用500V，高壓設(shè)備需5kV以上
通過旋鈕或VSEL鍵調(diào)節(jié)電壓，部分設(shè)備支持微調(diào)旋鈕校準(zhǔn)
測試模式?
絕緣電阻（Rx）?：直接測量阻值，默認(rèn)15秒讀數(shù)
吸收比（R60/R15）?：60秒與15秒阻值比，判斷受潮情況（＞1.3合格）
極化指數(shù)（R600/R60）?：10分鐘與1分鐘阻值比，評估絕緣老化
三、測試流程
啟動測試后，儀器自動升壓并顯示實(shí)時阻值，需等待數(shù)值穩(wěn)定（通常1-10分鐘）
測試結(jié)束按停止鍵，設(shè)備自動泄壓放電（放電完成指示燈熄滅）
通過記錄查詢功能查看歷史數(shù)據(jù)，部分設(shè)備支持?jǐn)?shù)據(jù)導(dǎo)出
四、安全規(guī)范
必須兩人操作高壓設(shè)備，保持安全距離
禁止雷電天氣測量，容性設(shè)備需充分放電
使用放電棒對高壓側(cè)放電時，先接阻放接口再緩慢靠近
常見問題
數(shù)值波動：檢查測試線是否纏繞（應(yīng)分開布置）
異常低壓：確認(rèn)被試品是否完全放電或存在短路
極化指數(shù)無效：需持續(xù)測試10分鐘以上

高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀

核心技術(shù)參數(shù)與功能特點(diǎn)，綜合自多款主流設(shè)備信息：

一、核心功能

介電參數(shù)測量

支持介電常數(shù)（ε）和介質(zhì)損耗角正切值（tanδ）的精確測定，測試頻率覆蓋1kHz～110MHz，部分型號擴(kuò)展至1MHz高頻段。

采用數(shù)字Q表技術(shù)，分辨率達(dá)0.1pF（電容）和0.1Q（品質(zhì)因數(shù)），誤差≤±1%。

安全防護(hù)設(shè)計

具備開蓋斷電、電極短路保護(hù)功能，符合GB/T 5654-2007標(biāo)準(zhǔn)的三電極結(jié)構(gòu)，消除雜散電容干擾。

二、關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)

項目參數(shù)范圍/性能備注

測試頻率 1kHz～110MHz（可定制1MHz專用機(jī)型） 數(shù)字合成，精度0.05%

電容測量 1～450pF（分辨率0.1pF） 誤差±1pF或±1%?13

溫度控制 中頻感應(yīng)加熱，PID算法控溫（±0.1℃） 適用-120℃～1200℃擴(kuò)展

數(shù)據(jù)存儲 100組測試數(shù)據(jù)自動保存 支持PDF/Excel導(dǎo)出

三、典型應(yīng)用場景

材料研發(fā)：優(yōu)化聚合物涂層配方，分析溫度/濕度老化對介電性能的影響?56。

電子工業(yè)：評估絕緣材料（如聚丙烯薄膜）的tanδ值（要求＜0.005）?25。

高頻通信：測試微波基板材料的ε值（3.3～6.6范圍）以適配射頻信號傳輸?5。

四、選型建議

高頻需求：優(yōu)先選擇1MHz以上機(jī)型（如聚合物1MHZ介電常數(shù)測試儀）?2。

極端環(huán)境：需搭配溫控模塊（如GDAT-A型的-120℃～1200℃擴(kuò)展）?4。

自動化操作：推薦帶彩色觸摸屏和DSP處理技術(shù)的型號（如GDAT-A）?

關(guān)于高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀的技術(shù)性綜述文章框架及核心內(nèi)容，適用于工程師、研究人員或技術(shù)決策者參考：

高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀：原理、技術(shù)與應(yīng)用前沿

文摘

高頻介電性能（介電常數(shù)(varepsilon_r)和損耗角正切(tan delta)）是材料在射頻（RF）、微波及毫米波領(lǐng)域的關(guān)鍵參數(shù)。本文系統(tǒng)解析高頻介電測試儀的技術(shù)原理、主流測量方法、系統(tǒng)組成、校準(zhǔn)挑戰(zhàn)及前沿發(fā)展趨勢，為材料研發(fā)與工程應(yīng)用提供技術(shù)依據(jù)。

一、測量原理與核心參數(shù)

1.介電常數(shù)((varepsilon_r))

表征材料存儲電場能量的能力：(varepsilon_r=varepsilon j varepsilon)

實(shí)部(varepsilon')：極化能力；虛部(varepsilon'')：能量損耗

2.介質(zhì)損耗角正切((tan delta))

定義：(tan delta=varepsilon/varepsilon')，損耗越低(tan delta)越小

直接決定器件Q值：(Q approx 1/tan delta)

二、主流測量技術(shù)方法

1.傳輸/反射法（頻域法）

原理：通過矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（VNA）測量材料對入射電磁波的S參數(shù)（(S_{11},S_{21})），反演(varepsilon_r)和(tan delta)

適用頻段：1 MHz–110GHz（覆蓋5G/6G毫米波）

常用夾具：

同軸空氣線（適用于粉末/液體）：ASTM D5568

波導(dǎo)夾具（毫米波頻段）：精度高，需精密機(jī)加工

微帶線/共面波導(dǎo)（CPW）夾具：兼容集成電路基板測試

算法：Nicolson Ross Weir(NRW)、迭代優(yōu)化算法

2.諧振法

原理：利用介質(zhì)諧振器或腔體，通過諧振頻率(f_0)和品質(zhì)因數(shù)(Q)計算參數(shù)

(varepsilon_r propto(f_text{airf_0)^2)，(tan delta propto 1/Q)

優(yōu)勢：超高精度(tan delta)低至(10^6，適合低損耗材料

類型：

圓柱腔法（TE(_{01 delta})模）：IEC 61189 2

開式諧振腔：非接觸測量，適合薄膜/柔性材料

三、測試系統(tǒng)核心組件

|模塊|技術(shù)要求|

|信號源|寬頻帶（DC~110 GHz）、高相位穩(wěn)定性|

|矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀|動態(tài)范圍>130 dB，時域門功能抑制雜散反射|

|測試夾具|阻抗匹配（50Ω）、低駐波比（VSWR<1.2）|

|校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件|SOLT（短路開路負(fù)載直通）、TRL（直通反射線）|

|軟件算法|材料參數(shù)反演、去嵌入（De embedding）、誤差修正|

四、技術(shù)挑戰(zhàn)與解決方案

1.校準(zhǔn)精度問題

挑戰(zhàn)：夾具界面反射、電纜相位漂移、高階模耦合

方案：

TRL校準(zhǔn)：消除夾具系統(tǒng)誤差（黃金標(biāo)準(zhǔn)）

時域門（TDR）：分離夾具與樣品的反射信號

2.高頻邊緣場效應(yīng)

挑戰(zhàn)：>30 GHz時，電磁場在樣品邊緣衍射導(dǎo)致誤差

方案：

樣品尺寸>5倍波長（(lambda)）

采用模式匹配法修正邊緣場

3.薄膜/非均勻材料測試

方案：

開式諧振腔：分辨率達(dá)納米級薄膜

太赫茲時域光譜（THz TDS）：擴(kuò)展至0.1~4 THz頻段

五、前沿技術(shù)趨勢

1.多物理場聯(lián)測系統(tǒng)

同步測量介電性能+導(dǎo)熱系數(shù)（如5G基站材料）

2.人工智能輔助優(yōu)化

深度學(xué)習(xí)反演算法：提升NRW法在強(qiáng)損耗材料中的精度

3.片上測量（On Wafer）

探針臺集成：直接測試晶圓級材料（180 GHz以上）

4.高溫/低溫原位測試

拓展至196°C（液氮）~500°C（航空航天熱工況）

六、標(biāo)準(zhǔn)與規(guī)范

國際標(biāo)準(zhǔn)：

IEEE 1528（天線罩材料）

IPC TM 650 2.5.5.5（PCB高頻測試）

IEC 60250（液體電介質(zhì)）

中國國標(biāo)：GB/T 1409 2006（固體絕緣材料）

七、選型指南

|需求場景|推薦技術(shù)方案

|毫米波材料（>30 GHz）|波導(dǎo)夾具+VNA（110 GHz）+TRL校準(zhǔn)

|超低損耗陶瓷（(tan delta<10^{4}))|圓柱諧振腔法

|柔性薄膜/生物材料

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