普賽斯igbt測試設備igbt測試儀,集多種測量和分析功能一體,可以精準測量IGBT功率半導體器件的靜態參數,具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。
普賽斯IGBT功率器件靜態參數測試系統配置由多種測量單元模塊組成,系統模塊化的設計能夠極大方便用戶添加或升級測量模塊,適應測量功率器件不斷變化的需求。詳詢一八一四零六六三四七六；
“雙高”系統優勢
高電壓、大電流
具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(z大可擴展至10kV)
具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯)
高精度測量
nA級漏電流, μΩ級導通電阻
0.1%精度測量
模塊化配置
可根據實際測試需要靈活配置多種測量單元系統預留升級空間,后期可添加或升級測量單元
測試效率高
內置專用開關矩陣,根據測試項目自動切換電路與測量單元
支持國標全指標的一鍵測試
擴展性好
支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具
測試項目
集電極-發射極電壓Vces，集電極-發射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發射極電壓Vges、柵極-發射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
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