為了提高補(bǔ)能效率,大功率快充成為各車(chē)企的研發(fā)重點(diǎn)。相較于400V架構(gòu),切換800V架構(gòu)能夠使充電時(shí)間減少一半。從400V增至 800V對(duì)連接器的可靠性、體積和電氣性能提出了更高要求,其在機(jī)械性能、電氣性能、環(huán)境性能三方面均將持續(xù)提升。升壓后,高壓連接器將重新選型,增加大功率快充接口及400V到800V的轉(zhuǎn)化接口,帶動(dòng)高壓連接器單車(chē)價(jià)值量上升。要構(gòu)建800V高壓平臺(tái),碳化硅功率器件是關(guān)鍵。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,碳化硅具有出色的耐高壓性能,并能有效提高系統(tǒng)的整體效率,達(dá)到5%至10%的增幅——即同等電池容量,配備碳化硅器件的汽車(chē)?yán)m(xù)航里程可提高5%到10%。此外,同等性能的碳化硅器件尺寸約為硅器件的1/10,因而它還能降低電驅(qū)系統(tǒng)的體積和重量,從而釋放更多車(chē)輛內(nèi)部空間。盡管 SiC MOSFET 本身成本較高,但會(huì)看到整個(gè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)的價(jià)格下降(通過(guò)減少布線、無(wú)源元件、熱管理等),并且與 Si IGBT 系統(tǒng)相比總體上可能更便宜。這種成本節(jié)省可能需要在兩個(gè)應(yīng)用系統(tǒng)之間進(jìn)行復(fù)雜的設(shè)計(jì)和成本研究分析,但可能會(huì)提高效率并節(jié)省成本。